山本秀和，北海道大学研究生院工学研究科电气工学博士。在三菱电机从事Si-LSI及功率器件的研究开发。现任千叶工业大学教授，从事功率器件和功率器件产品的分析技术研究。曾任北海道大学客座教授、功率器件赋能协会理事、新金属协会硅晶体分析技术国际标准审议委员会委员长、新金属协会半导体供应链研究会副委员长等。
上田修，东京大学工学部物理工学博士。1974—2005年，在富士通研究所(股份有限公司)从事半导体中晶格缺陷的分析以及半导体发光器件、电子器件劣化机制阐明的研究。2005—2019年，在金泽工业大学研究生院工学研究科任教授。现为明治大学客座教授。
二川清，大阪大学研究生院基础工学研究科物理系工学博士。在NEC和NEC电子从事半导体可靠性和失效分析技术的实际业务和研究开发。曾任大阪大学特聘教授、金泽工业大学客座教授、日本可靠性学会副会长等职。现任芝浦工业大学兼职讲师。
李哲洋，博士生导师，研究员，现任怀柔实验室北京智慧能源研究院资深技术专家。毕业于南京大学物理学院，获微电子与固体电子学博士学位，主要研究方向为宽禁带半导体材料与器件。曾先后就职于中国电子科技集团公司第五十五研究所、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司和南京大学。主持完成国内首条碳化硅外延研发线建设，率先在国内实现了外延材料国产化替代；实现了国内第一条产业级碳化硅外延片生产线的建成及运行，推动了国内碳化硅外延片的产业化进程。
于乐，博士，副研究员，毕业于南京大学电子科学与工程学院电子科学与技术专业。曾就职于华润微电子有限公司和南京大学，主要从事半导体器件的工艺研究。目前在北京智慧能源研究院从事碳化硅外延技术相关工作。
汪久龙，毕业于中科院半导体研究所材料工程专业，硕士学位。目前在北京智慧能源研究院从事碳化硅外延材料生长工艺开发工作。
